极低的直流电阻和磁芯损耗

具有大电流处理能力的软饱和特性

扁平线绕组，低直流电阻

软饱和，可处理高峰值电流

扁平线绕组，低直流电阻

软饱和，可处理高峰值电流

极低的直流电阻和磁芯损耗

具有大电流处理能力的软饱和特性

扁平线绕组，低直流电阻

立式贴片结构，节省安装空间

扁平线绕组，低直流电阻

立式插件结构，节省安装空间

极低的直流电阻和磁芯损耗

具有大电流处理能力的软饱和特性

高饱和电流，频率特性稳定

附加端子设计，焊接牢靠

扁平线绕组，散热效果佳

漏磁率低的闭磁路结构

磁屏蔽结构，低磁损

3端子结构设计，焊接牢靠

磁屏蔽结构，低磁损

大功率输出，低损耗

使用扁平线绕组，具有低电阻

漏磁率低的闭磁路结构

小体积，高能量存储

大功率输出，低损耗

扁平线绕组，直流和交流电阻极低

金属屏蔽结构，EMI降至最低

具有高饱和电流负载能力

有效解决热老化问题

使用扁平线，低电阻

具有高饱和电流负载能力

扁线绕组、低直流电阻

高饱和电流、软饱和特性

具有高饱和电流负载能力

绝缘性能佳，线圈交流损耗低

大功率输出，低损耗

有效解决热老化问题

大功率输出，低损耗

金属屏蔽结构，可将EMI降至最低

小体积，高能量存储

超低直流电阻

高能量存储

超低直流电阻

小体积，高SRF特性，高能量存储

高精度直流电阻，耐大电流

小体积，高SRF特性，高能量存储

高精度直流电阻，耐大电流

组立式设计，结构坚固。

热浸镀锡可降低晶须生长的风险。

对称气隙，提高饱和电流能力

符合AEC-Q200标准

组立式设计，结构坚固

温升电流及饱和电流受环境条件影响小

可以处理瞬间高峰值电流

极低的直流电阻

扁线绕组、低直流电阻

高饱和电流、软饱和特性

使用扁平线，低电阻

大功率输出，低损耗

全屏蔽结构，抗电磁干扰能力强

大电流，低损耗

使用扁平线，低电阻

具有高饱和电流负载能力

低损耗，磁致伸缩系数小

极低的直流电阻

电感值、直流偏置特性受温度的影响小

优异的直流偏置能力，可以处理瞬间高峰值电流

磁致伸缩系数小，不易产生噪音

电感值、直流偏置特性受温度的影响小

极低的直流电阻和磁芯损耗

具有大电流处理能力的软饱和特性

高能量存储和超低直流电阻

专为大电流电源应用而设计

磁屏蔽结构，低直流电阻

损耗低、效率高、适用频率广

宽温低功耗材料，低磁芯损耗

附加端子，焊接更加牢靠